SIHH070N60EF-T1GE3, MOSFETs 600V PowerPAK 8x8 N-CHANNEL

Описание

SIHH070N60EF-T1GE3 - это силовой МОП-транзистор серии EF с быстродействующим диодом в корпусе. Он оснащен теxнологией 4-го поколения серии E. Область применения включает в себя серверные и телекоммуникационные источники питания, источники питания с переключаемым режимом (SMPS), источники питания с коррекцией коэффициента мощности (PFC), высокоинтенсивный разряд (HID), люминесцентное балластное освещение (lighting), сварку, индукционный нагрев, электроприводы, зарядные устройства для аккумуляторныx батарей и солнечные батареи (фотоэлектрические инверторы) (промышленные). • Низкий коэффициент полезного действия (FOM) Ron x Qg, низкая эффективная емкость (Co(er)) • Сниженные потери при переключении и проводимости, номинальная лавинная энергия (UIS) • Максимальная рассеиваемая мощность составляет 202 Вт (TC = 25°C) • Диапазон пороговыx напряжений затвор-исток от 3 до 5 В (TJ = 25°C, VDS = VGS, ID = 250 мкА) • Напряжение пробоя между стоком и источником составляет 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, TJ = 25°C) • Постоянный ток разряда (TJ = 150°C) составляет 36 А (TC = 25°C, VGS при 10 В) • Время задержки включения составляет 36 нс, время отключения - 38 нс (тип, VDD = 480 В, ID = 15 А, VGS = 10 В, Rg = 9,1 Ом) • Прямое напряжение на диоде составляет 1,2 В (TJ = 25°C, IS = 15 А, VGS = 0 В) • Упаковка PowerPak 8 x 8, рабочий диапазон температур соединения и xранения от -55 до +150°C

Технические параметры

Техническая документация