SIHH068N60E-T1-GE3, MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048190686
- Артикул
- SIHH068N60E-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Серия
- E
- Структура
- MOSFET
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 1 100 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Серия | E |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 30 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | PowerPAK-4 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel E-Series Power MOSFET |
| Qg - заряд затвора | 80 nC |
| Время нарастания | 148 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 202 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 34 A |
| Крутизна характеристики, S | 9.3 S |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 68 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 60 ns |
| Типичное время задержки при включении | 56 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 9.3 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 68 mOhms |