Моя заявка (0)

SIHG73N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 46А, 520Вт, TO247AC

SIHG73N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 46А, 520Вт, TO247AC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070122883
Артикул
SIHG73N60E-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Case
TO247AC
Mounting
THT
Вес, г
4.67
Длина
15.87 mm
Цена по запросу
(от 1 793,39 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs TO-247AC

Технические параметры

CaseTO247AC
MountingTHT
Вес, г4.67
Длина15.87 mm
СерияE
Gate charge362nC
ManufacturerVISHAY
Polarisationunipolar
Высота20.82 mm
Ширина5.31 mm
Drain current46A
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
УпаковкаTube
Power dissipation520W
Type of transistorN-MOSFET
Gate-source voltage±30V
On-state resistance39mΩ
Drain-source voltage600V
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада120 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокTO-247-3
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора241 nC
Время нарастания105 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности520 W
Id - непрерывный ток утечки73 A
Размер фабричной упаковки500
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток39 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения290 ns
Типичное время задержки при включении63 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V

Техническая документация