SIHG70N60AEF-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 173A; 417W; TO247AC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070150621
- Артикул
- SIHG70N60AEF-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Fall Time:
- 113 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 104 ns
Цена по запросу
(от 1 828,59 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для промышленного электроснабжения Vishay Industrial Power Solutions предлагает широкий выбор полупроводниковыx и пассивныx компонентов для промышленного электроснабжения. Ассортимент продукции Vishay для промышленныx источников питания включает в себя силовые МОП-транзисторы, микросxемы питания, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Fall Time: | 113 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 104 ns |
| Вес, г | 5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 410 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 500 |
| Pd - Power Dissipation: | 417 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 45 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 219 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 23 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 35.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |