Моя заявка (0)

SIHG64N65E-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 202A; 520W; TO247AC

SIHG64N65E-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 202A; 520W; TO247AC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070102433
Артикул
SIHG64N65E-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
5
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
E Series
Цена по запросу
(от 1 794,26 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г5
No. of Pins3Pins
Channel TypeN Channel
Product RangeE Series
Transistor MountingThrough Hole
Transistor Case StyleTO-247AC
Drain Source Voltage Vds650V
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id64A
Gate Source Threshold Voltage Max4V

Техническая документация