SIHG47N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 30А, 357Вт, TO247AC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017534003
- Артикул
- SIHG47N60E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 5.31mm
- Series
- E Series
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 4.62
Цена по запросу
(от 1 250 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 30А, 357Вт, TO247AC Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 5.31mm |
| Series | E Series |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 4.62 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247AC |
| Корпус | to247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 357 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 147 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 64 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 47 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 357 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |