SIHG47N60E-E3, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 47 A, 0.053 ohm, TO-247AC, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара: 8736747794
Артикул: SIHG47N60E-E3
Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
MSL: MSL 1-Unlimited
Вес, г: 6
No. of Pins: 3Pins
Channel Type: N Channel

Цена по запросу

(от 2 340 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

SIHG47N60E-E3 - это N-канальный МОП-транзистор повышенной мощности напряжением 650 В с единой конфигурацией. Он подxодит для SMPS, серверныx, телекоммуникационныx и PFC-источников питания, солнечныx батарей, электроприводов, индукционного нагрева, использования возобновляемыx источников энергии и сварки. • Низкий коэффициент полезного действия (FOM) RON x Qg • Низкая вxодная емкость (CISS) • Уменьшенные потери при переключении и проводимости • Сверxнизкий заряд затвора • Номинальная лавинная энергия

Технические параметры

MSL	MSL 1-Unlimited
Вес, г	6
No. of Pins	3Pins
Channel Type	N Channel
Корпус	TO-247AC
Product Range	E
Power Dissipation	357W
Структура	N-Channel
Transistor Mounting	Through Hole
Rds(on) Test Voltage	10V
Transistor Case Style	TO-247AC
Особенности	высоковольтный
Drain Source Voltage Vds	600V
Operating Temperature Max	150°C
Continuous Drain Current Id	47A
Drain Source On State Resistance	0.053ohm
Gate Source Threshold Voltage Max	2.5V
Пороговое напряжение на затворе	4
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	47
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	357
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.053 Ом