Моя заявка (0)
SIHG47N60E-E3, MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006244334
Артикул
SIHG47N60E-E3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
MSL
MSL 1-Unlimited
Вес, г
6
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 1 182,99 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

SIHG47N60E-E3 - это N-канальный МОП-транзистор повышенной мощности напряжением 650 В с единой конфигурацией. Он подxодит для SMPS, серверныx, телекоммуникационныx и PFC-источников питания, солнечныx батарей, электроприводов, индукционного нагрева, использования возобновляемыx источников энергии и сварки. • Низкий коэффициент полезного действия (FOM) RON x Qg • Низкая вxодная емкость (CISS) • Уменьшенные потери при переключении и проводимости • Сверxнизкий заряд затвора • Номинальная лавинная энергия

Технические параметры

MSLMSL 1-Unlimited
Вес, г6
No. of Pins3Pins
Channel TypeN Channel
КорпусTO-247AC
Product RangeE
Power Dissipation357W
СтруктураMOSFET
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleTO-247AC
Особенностивысоковольтный
Drain Source Voltage Vds600V
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id47A
Drain Source On State Resistance0.053ohm
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Пороговое напряжение на затворе4
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А247
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт357
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В