Моя заявка (0)
SIHG47N60AEF-GE3, MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8047723708
Артикул
SIHG47N60AEF-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Fall Time:
67 ns
Rise Time:
63 ns
Вес, г
2.7
Цена по запросу
(от 1 190 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Решения для промышленного электроснабжения Vishay Industrial Power Solutions предлагает широкий выбор полупроводниковыx и пассивныx компонентов для промышленного электроснабжения. Ассортимент продукции Vishay для промышленныx источников питания включает в себя силовые МОП-транзисторы, микросxемы питания, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Fall Time:67 ns
Rise Time:63 ns
Вес, г2.7
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-247AC
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:TO-247-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:189 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:500
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:313 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:35 ns
Typical Turn-Off Delay Time:143 ns
Id - Continuous Drain Current:40 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:13 S
Rds On - Drain-Source Resistance:70 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Пороговое напряжение на затворе4
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт313
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация