SIHG33N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062348625
- Артикул
- SIHG33N60EF-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand
- Vishay
- Series
- EF Series
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 5
Цена по запросу
(от 809,51 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор с быстродействующим диодом, серия EF, Vishay Semiconductor:
Технические параметры
| Brand | Vishay |
| Series | EF Series |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 5 |
| Package Type | TO-247AC |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 278 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 103 nC @ 10 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 98 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 33 A |