E Type N-Channel MOSFET, 21 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG24N80AE-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014570887
- Артикул
- SIHG24N80AE-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- E Series
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 1 206,15 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы серии Vishay E снижают потери при переключении и проводимости. Низкий коэффициент полезного действия (FOM) Ron x Qg
Технические параметры
| Series | E Series |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247AC |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 850 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.184 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 21 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 850 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 21 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |