SIHG22N60EF-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 46A; 179W; TO247AC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062488755
- Артикул
- SIHG22N60EF-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand
- Vishay
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 5
- Package Type
- TO-247AC
Цена по запросу
(от 529,60 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор серии EF с быстродействующим диодом в корпусе. Низкий коэффициент полезного действия (FOM) Ron x Qg Низкая вxодная емкость (Ciss)
Технические параметры
| Brand | Vishay |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 5 |
| Package Type | TO-247AC |
| Mounting Type | Through Hole |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 179 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 182 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 19 A |