SiHG22N60EF Type N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG22N60EF-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014515481
- Артикул
- SIHG22N60EF-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand
- Vishay
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Package Type
- TO-247AC
Цена по запросу
(от 983,03 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор серии EF с быстродействующим корпусным диодом.
Технические параметры
| Brand | Vishay |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | TO-247AC |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 179 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 182 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 19 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 19 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 V |