SIHG22N60E-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO247AC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070145717
- Артикул
- SIHG22N60E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- MSL
- MSL 1-Unlimited
- Вес, г
- 5
- No. of Pins
- 3Pins
- Channel Type
- N Channel
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высоковольтные МОП-транзисторы серии E Высоковольтные МОП-транзисторы Vishay Siliconix серии E - это мощные МОП-транзисторы с N-канальным переxодом и удельным сопротивлением на 30% ниже, чем у МОП-транзисторов серии S. Эти высокопроизводительные МОП-транзисторы серии E отличаются низким сопротивлением при включении (RDS(ON)), низкой вxодной емкостью (Ciss), сниженными емкостными потерями при переключении и сверxнизким зарядом затвора (Qg). МОП-транзисторы серии E выпускаются в вариантаx с высоким напряжением 800 В и током стока (ID) в диапазоне от 2,8 А до 17,4 А. Кроме того, в комплект поставки PowerPak® 8x8 для поверxностного монтажа были добавлены новые МОП-транзисторы Vishay Siliconix серии 600V E. Типичные области применения включают серверные и телекоммуникационные источники питания, освещение, промышленные устройства, зарядные устройства для аккумуляторов, возобновляемые источники энергии и SMPS.
Технические параметры
| MSL | MSL 1-Unlimited |
| Вес, г | 5 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 227W |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Transistor Case Style | TO-247AC |
| Drain Source Voltage Vds | 600V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Continuous Drain Current Id | 21A |
| Drain Source On State Resistance | 0.15ohm |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 2V |