SIHG21N80AE-GE3, MOSFETs TO247 800V 16.3A N-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049244179
- Артикул
- SIHG21N80AE-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand
- Vishay
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Package Type
- TO-247AC
Цена по запросу
(от 600,82 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор серии E. Низкий коэффициент полезного действия (FOM) Ron x Qg, низкая эффективная емкость (Co(er)) Уменьшенные потери при переключении и проводимости
Технические параметры
| Brand | Vishay |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | TO-247AC |
| Корпус | to247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 32 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 235 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 17.4 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30В |