SIHG20N50E-GE3, MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8047694566
- Артикул
- SIHG20N50E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Width
- 5.31mm
- Series
- E Series
Цена по запросу
(от 433,78 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Width | 5.31mm |
| Series | E Series |
| Mounting | Through Hole |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 15.87 mm |
| Серия | E |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247AC |
| Высота | 20.82 mm |
| Корпус | TO-247AC |
| Ширина | 5.31 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Width | 5.31(Max) |
| Package Length | 15.87(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-247AC |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Standard Package Name | TO |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 25 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 25 |
| Typical Rise Time (ns) | 27 |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 179 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 179000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 46 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 46 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 46@10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 180 mΩ |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 17 |
| Время нарастания | 27 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 19 A |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 500 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 48 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 19 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1640@100V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 184@10V |
| Maximum Gate-Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 179 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 19 A |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 184 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 48 ns |
| Типичное время задержки при включении | 17 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 247 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |