Моя заявка (0)

SIHG180N60E-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 156W; TO247AC

SIHG180N60E-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 156W; TO247AC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063706049
Артикул
SIHG180N60E-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Series
E ->
Package
Tube
Цена по запросу
(от 480,16 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
SeriesE ->
PackageTube
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)В±30V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Вес, г5
СерияE
RoHS StatusROHS3 Compliant
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-3
УпаковкаTube
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250ВµA
Base Product NumberSIHG180 ->
ТехнологияSi
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Вид монтажаThrough Hole
Время спада23 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max)156W (Tc)
Supplier Device PackageTO-247AC
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокTO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 10V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Qg - заряд затвора33 nC
Время нарастания49 ns
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1085pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C19A (Tc)
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности156 W
Id - непрерывный ток утечки19 A
Размер фабричной упаковки50
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток180 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения22 ns
Типичное время задержки при включении14 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.5.3 S

Техническая документация