SIHG17N80AEF-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070150623
- Артикул
- SIHG17N80AEF-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- E Series
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 5
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 396 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы серии Vishay E снижают потери при переключении и проводимости. Низкий коэффициент полезного действия (FOM) Ron x Qg
Технические параметры
| Series | E Series |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247AC |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Material | Si |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 850 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.305 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 15 A |