Моя заявка (0)

SIHG17N80AE-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 32A; 179W; TO247AC

SIHG17N80AE-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 32A; 179W; TO247AC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070110710
Артикул
SIHG17N80AE-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Series
E
Pin Count
3
Вес, г
5
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 351,52 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой МОП-транзистор серии Vishay E имеет тип корпуса TO-247AC с током стока 15 А.

Технические параметры

SeriesE
Pin Count3
Вес, г5
Channel TypeN Channel
Package TypeTO-247AC
Power Dissipation179Вт
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage800 V
Maximum Gate Threshold Voltage2 → 4V
Maximum Drain Source Resistance0.25 Ω
Drain Source On State Resistance0.25Ом
Maximum Continuous Drain Current15 A
Линейка ПродукцииE
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока15А
Рассеиваемая Мощность179Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds800В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247AC
Максимальная Рабочая Температура150 C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.25Ом

Техническая документация