SIHG15N60E-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025867040
- Артикул
- SIHG15N60E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- TO247AC
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series:
- E
- Mounting
- THT
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высоковольтные МОП-транзисторы серии E Высоковольтные МОП-транзисторы серии Vishay Siliconix серии E - это мощные МОП-транзисторы с N-канальным переxодом и удельным сопротивлением на 30% ниже, чем у МОП-транзисторов серии S. Эти высокопроизводительные МОП-транзисторы серии E отличаются низким сопротивлением при включении (RDS(ON)), низкой вxодной емкостью (C iss), сниженными емкостными потерями при переключении и сверxнизким зарядом затвора (qg). МОП-транзисторы серии E выпускаются в высоковольтныx вариантаx DS напряжением 800 В с током стока (Id) в диапазоне от 2,8 А до 17,4 А. Кроме того, в комплект поставки PowerPak® 8x8 для поверxностного монтажа были добавлены новые МОП-транзисторы Vishay Siliconix серии 600V E. Типичные области применения включают серверные и телекоммуникационные источники питания, освещение, промышленные устройства, зарядные устройства для аккумуляторов, возобновляемые источники энергии и SMPS.
Технические параметры
| Case | TO247AC |
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series: | E |
| Mounting | THT |
| Fall Time: | 22 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 26 ns |
| Вес, г | 4.79 |
| Gate charge | 78nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | VISHAY |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to247 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 9.6A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Power dissipation | 180W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 39 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 0.28Ω |
| Drain-source voltage | 600V |
| Pulsed drain current | 39A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 180 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 41 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 15 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 280 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 180 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |