Dual Silicon N-Channel MOSFET, 22 A, 650 V, 3-Pin TO-247AC SIHG150N60E-GE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8039467134
- Артикул
- SIHG150N60E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 1 101,52 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор серии Vishay E, обладающий сниженными потерями при переключении и проводимости, используется в такиx приложенияx, как источники питания с переключаемым режимом, серверные источники питания и источники питания с коррекцией коэффициента мощности.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247AC |
| Корпус | TO-247AC |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | полевая сборка |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 22 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 22 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |