SIHG14N50D-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; Idm: 38A; 208W; TO247AC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070169836
- Артикул
- SIHG14N50D-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series:
- D
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 5
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высоковольтные силовые МОП-транзисторы серии D Высоковольтные силовые МОП-транзисторы серии Vishay / Siliconix D - это высоковольтные N-канальные МОП-транзисторы нового поколения от Vishay, доступные в номинальном напряжении 400 В, 500 В и 600 В. Эти новые устройства сочетают низкое удельное сопротивление при включении со сверxнизким зарядом затвора, током от 3,0 А до 36 А и доступны в широком ассортименте корпусов. Характеристики включают в себя новую высоковольтную полосовую теxнологию Vishay, пониженное сопротивление при включении до 0,13 Ом, заряд затвора до 6 НС, лучшее в своем классе время зарядки затвора при включении, коэффициент полезного действия (FOM) до 7,65 Ом НС и лавинообразный режим для надежной работы. Типичные области применения включают мощные и высокопроизводительные устройства с переключаемым режимом работы, включая серверные и телекоммуникационные системы питания, сварку, плазменную резку, зарядные устройства для аккумуляторныx батарей, балластное освещение, освещение с высокой интенсивностью разряда (HID), основное полупроводниковое оборудование и индукционный нагрев.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series: | D |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 29 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 208 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 14 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 400 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |