EF Type N-Channel Single MOSFETs, 8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG11N80AEF-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8056502936
- Артикул
- SIHG11N80AEF-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand
- Vishay
- Series
- EF
- Pin Count
- 3
- Mount Type
- Through Hole
Цена по запросу
(от 720 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Vishay Power предназначен для коммутации высокого напряжения. Он оснащен быстродействующим диодом, низким коэффициентом полезного действия (FOM) и уменьшенной эффективной емкостью для повышения эффективности. Он поставляется в надежном корпусе TO-247AC и идеально подxодит для серверов, телекоммуникаций, SMPS и источников питания с коррекцией коэффициента мощности.
Технические параметры
| Brand | Vishay |
| Series | EF |
| Pin Count | 3 |
| Mount Type | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | TO-247AC |
| Product Type | Single MOSFETs |
| Корпус | TO-247AC |
| Forward Voltage Vf | 1.2V |
| Структура | Type N |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | No |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Maximum Power Dissipation Pd | 78W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 41nC |
| Maximum Operating Temperature | 150°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.483Ω |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |