SIHG11N80AE-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; TO247AC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070110709
- Артикул
- SIHG11N80AE-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- E
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 5
- Channel Type
- N Channel
Цена по запросу
(от 359 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы серии Vishay E имеют тип корпуса TO-247AC с одиночной конфигурацией. Низкий коэффициент полезного действия (FOM) Ron x Qg
Технические параметры
| Series | E |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 5 |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | TO-247AC |
| Power Dissipation | 78Вт |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2 → 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.391 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.391Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Линейка Продукции | E |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 8А |
| Рассеиваемая Мощность | 78Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247AC |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.391Ом |