SIHG080N60E-GE3, MOSFETs TO247 600V 35A N-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008770912
- Артикул
- SIHG080N60E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series
- E Series
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 31 ns
Цена по запросу
(от 606,13 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы серии SiHG080N60E серии E Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix серии SiHG080N60E серии E отличаются сниженными потерями при переключении и проводимости благодаря теxнологии 4-го поколения серии E. Силовые МОП-транзисторы SiHG080N60E имеют напряжение сток-исток 650 В и общий заряд затвора 63 НКС в корпусе TO-247AC. МОП-транзисторы SiHG080N60E обладают низким коэффициентом полезного действия (FOM) R на xqg и низкой эффективной емкостью (co(er)).
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series | E Series |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 31 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 96 ns |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247AC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to247 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247AC-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 42 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 227 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 31 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 37 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 4.6 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.08 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 35 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 80 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 25 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |