Моя заявка (0)
SIHG065N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070098716
Артикул
SIHG065N60E-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
5
Серия
E
Channel Type
N Channel
Упаковка
Tube
Цена по запросу
(от 939,14 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 650V Vds;30V Vgs TO-247AC

Технические параметры

Вес, г5
СерияE
Channel TypeN Channel
УпаковкаTube
Power Dissipation250Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада13 ns
Power Dissipation (Pd)250W
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Total Gate Charge (Qg@Vgs)74nC@10V
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокTO-247AC-3
Input Capacitance (Ciss@Vds)2.7nF@100V
Continuous Drain Current (Id)40A
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора74 nC
Время нарастания46 ns
Drain Source On State Resistance0.057Ом
Линейка ПродукцииE
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока40А
Рассеиваемая Мощность250Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs5В
Pd - рассеивание мощности250 W
Id - непрерывный ток утечки40 A
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Размер фабричной упаковки50
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247AC
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток65 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения54 ns
Типичное время задержки при включении28 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.057Ом
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.12 S

Техническая документация