Моя заявка (0)

SIHG055N65E-GE3,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 47 A, 0.058 ohm, TO-247AC, Through Hole

SIHG055N65E-GE3,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 47 A, 0.058 ohm, TO-247AC, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046493449
Артикул
SIHG055N65E-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
0.001
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-247AC
Цена по запросу
(от 1 660 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.001
No. of Pins3Pins
Channel TypeN Channel
КорпусTO-247AC
Product RangeE Series
СтруктураN-Channel
Transistor MountingThrough Hole
Transistor Case StyleTO-247AC
Особенностивысоковольтный
Drain Source Voltage Vds650V
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id47A
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Пороговое напряжение на затворе4
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А47
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт312W
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.058 Ом

Техническая документация