SIHG039N60E-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 199A; 357W; TO247AC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062488724
- Артикул
- SIHG039N60E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 5
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 357Вт
- Drain Source On State Resistance
- 0.034Ом
Цена по запросу
(от 1 229,04 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 5 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 357Вт |
| Drain Source On State Resistance | 0.034Ом |
| Линейка Продукции | E |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 63А |
| Рассеиваемая Мощность | 357Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247AC |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.034Ом |