Моя заявка (0)

SIHG018N60E-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 63A; Idm: 325A; 524W; TO247AC

SIHG018N60E-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 63A; Idm: 325A; 524W; TO247AC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070169830
Артикул
SIHG018N60E-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
5
Серия
E
Channel Type
N Channel
Упаковка
Tube
Цена по запросу
(от 2 367,41 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs TO-247AC

Технические параметры

Вес, г5
СерияE
Channel TypeN Channel
УпаковкаTube
Power Dissipation524Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада84 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокTO-247AC-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора228 nC
Время нарастания197 ns
Drain Source On State Resistance0.021Ом
Линейка ПродукцииE
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока99А
Рассеиваемая Мощность524Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs5В
Pd - рассеивание мощности524 W
Id - непрерывный ток утечки99 A
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Размер фабричной упаковки50
Стиль Корпуса ТранзистораTO-247AC
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток23 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения177 ns
Типичное время задержки при включении132 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.021Ом
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.25 S

Техническая документация