Моя заявка (0)

SIHFU9220-GE3, Power MOSFET, P Channel, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-251 (IPAK), Through Hole

SIHFU9220-GE3, Power MOSFET, P Channel, 200 V, 3.6 A, 1.5 ohm, TO-251 (IPAK), Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009458212
Артикул
SIHFU9220-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
1.62
Серия
SIHFR/U
Структура
P-Channel
Технология
Si
Цена по запросу
(от 172 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор -200V Vds 20V Vgs IPAK (TO-251)

Технические параметры

Вес, г1.62
СерияSIHFR/U
СтруктураP-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада19 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокTO-251-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Qg - заряд затвора20 nC
Время нарастания27 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности42 W
Id - непрерывный ток утечки3.6 A
Размер фабричной упаковки1
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
Пороговое напряжение на затворе-
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения7.3 ns
Типичное время задержки при включении8.8 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.6
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.1.1 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.5 Ом

Техническая документация