SIHFR9220-GE3, Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8073837464
- Артикул
- SIHFR9220-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- FET Type
- P-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 2
Цена по запросу
(от 121,50 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канал 200 В 3,6 А (Tc), 2,5 Вт (Ta), 42 Вт (Tc) для поверxностного монтажа TO-252AA
Технические параметры
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 2 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2.2A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 42W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 340 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A(Tc) |