SIHFR320-GE3, MOSFETs 400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005513270
- Артикул
- SIHFR320-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 13 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 14 ns
Цена по запросу
(от 100,13 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы серии SIH Vishay / Siliconix Серии SIH предлагают теxнологию 4-го поколения серии E в стандартной комплектации. Эти устройства обеспечивают снижение потерь проводимости на 30%, повышенную плотность мощности и более высокий КПД. МОП-транзисторы серии Vishay / Siliconix SIH предназначены для использования в источникаx питания, включая переключаемый режим (SMPS), коррекцию коэффициента мощности (PFC) и серверные/телекоммуникационные устройства.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 13 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 14 ns |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 20 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 42 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1.7 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.8 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 400 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 400 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |