Моя заявка (0)

SIHFL9110TR-GE3, 100V 690mA 1.2 @10V,0.66A 3.1W 1 P-Channel SOT-223-3 Single FETs, MOSFETs RoHS

SIHFL9110TR-GE3, 100V 690mA 1.2 @10V,0.66A 3.1W 1 P-Channel SOT-223-3 Single FETs, MOSFETs RoHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070107402
Артикул
SIHFL9110TR-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Fall Time:
17 ns
Rise Time:
27 ns
Вес, г
0.22
Цена по запросу
(от 82,58 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы серии SIH Vishay / Siliconix Серии SIH предлагают теxнологию 4-го поколения серии E в стандартной комплектации. Эти устройства обеспечивают снижение потерь проводимости на 30%, повышенную плотность мощности и более высокий КПД. МОП-транзисторы серии Vishay / Siliconix SIH предназначены для использования в источникаx питания, включая переключаемый режим (SMPS), коррекцию коэффициента мощности (PFC) и серверные/телекоммуникационные устройства.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Fall Time:17 ns
Rise Time:27 ns
Вес, г0.22
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:SOT-223-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:8.7 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Pd - Power Dissipation:3.1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Typical Turn-Off Delay Time:15 ns
Id - Continuous Drain Current:1.1 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:0.82 S
Rds On - Drain-Source Resistance:1.2 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V

Техническая документация