Моя заявка (0)

SIHF9530S-GE3, Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W

SIHF9530S-GE3, Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8029312092
Артикул
SIHF9530S-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Case
D2PAK, TO263
Mounting
SMD
Вес, г
2
Gate charge
38nC
Цена по запросу
(от 139,04 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

CaseD2PAK, TO263
MountingSMD
Вес, г2
Gate charge38nC
ManufacturerVISHAY
Polarisationunipolar
Drain current-8.2A
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Power dissipation88W
Type of transistorP-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.3Ω
Drain-source voltage-100V
Pulsed drain current-48A
Особенности-
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8.2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт88
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В