Моя заявка (0)
SIHF6N65E-GE3, MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006225248
Артикул
SIHF6N65E-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
6
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-220
Power Dissipation
31Вт
Цена по запросу
(от 273,81 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г6
Channel TypeN Channel
КорпусTO-220
Power Dissipation31Вт
СтруктураMOSFET
Особенностивысоковольтный
Drain Source On State Resistance0.5Ом
Линейка ПродукцииE Series
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока7А
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220FP
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В