SIHF644S-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029312144
- Артикул
- SIHF644S-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- D2PAK, TO263
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 2
- Gate charge
- 68nC
Цена по запросу
(от 211,27 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | D2PAK, TO263 |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 2 |
| Gate charge | 68nC |
| Manufacturer | VISHAY |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 8.5A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 125W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 0.28Ω |
| Drain-source voltage | 250V |
| Pulsed drain current | 56A |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |