Моя заявка (0)

SIHF30N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 18А; Idm: 676А; 37Вт; TO220FP

SIHF30N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 18А; Idm: 676А; 37Вт; TO220FP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8067106165
Артикул
SIHF30N60E-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Width
4.83mm
Series
E Series
Pin Count
3
Вес, г
2
Цена по запросу
(от 1 074,34 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Технические параметры

Width4.83mm
SeriesE Series
Pin Count3
Вес, г2
Длина10.41 mm
СерияE
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220FP
Высота15.49 mm
Ширина4.7 mm
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTube
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Forward Diode Voltage1.3V
Вид монтажаThrough Hole
Время спада36 ns
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation37 W
Typical Gate Charge @ Vgs85 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокTO-220FP-3
Maximum Drain Source Voltage600 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Qg - заряд затвора85 nC
Maximum Drain Source Resistance125 mΩ
Время нарастания32 ns
Maximum Continuous Drain Current29 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности37 W
Id - непрерывный ток утечки29 A
Размер фабричной упаковки50
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток125 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения63 ns
Типичное время задержки при включении19 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.8 V

Техническая документация