Моя заявка (0)

SIHF22N60E-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP

SIHF22N60E-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8073837563
Артикул
SIHF22N60E-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Case
TO220FP
Mounting
THT
Вес, г
2
Серия
E
Цена по запросу
(от 418,65 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Технические параметры

CaseTO220FP
MountingTHT
Вес, г2
СерияE
Gate charge86nC
Polarisationunipolar
Drain current13A
Kind of channelenhancement
Kind of packagetube
УпаковкаTube
Power dissipation35W
Type of transistorN-MOSFET
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.18Ω
Drain-source voltage600V
Pulsed drain current56A
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада35 ns
Power Dissipation (Pd)35W
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Total Gate Charge (Qg@Vgs)86nC@10V
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокTO-220FP-3
Input Capacitance (Ciss@Vds)1920pF@0V
Continuous Drain Current (Id)13A
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора57 nC
Время нарастания27 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)6pF@100V
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности35 W
Id - непрерывный ток утечки21 A
Размер фабричной упаковки50
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток180 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения66 ns
Типичное время задержки при включении18 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V

Техническая документация