Моя заявка (0)

SIHF15N60E-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP

SIHF15N60E-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062306795
Артикул
SIHF15N60E-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Tab
Tab
PPAP
No
Mounting
Through Hole
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 399,80 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
MountingThrough Hole
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г2
СерияE
PCB changed3
Part StatusActive
Package Width4.83(Max)
Package Length10.63(Max)
Supplier PackageTO-220FP
УпаковкаTube
ТехнологияSi
Standard Package NameTO
Вид монтажаThrough Hole
Время спада22 ns
Power Dissipation (Pd)34W
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Total Gate Charge (Qg@Vgs)78nC@10V
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокTO-220-3
Input Capacitance (Ciss@Vds)1350pF@0V
Continuous Drain Current (Id)9.6A
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора39 nC
Время нарастания26 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)5pF@100V
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности34 W
Id - непрерывный ток утечки15 A
Размер фабричной упаковки50
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток280 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения41 ns
Типичное время задержки при включении16 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V

Техническая документация