Моя заявка (0)

SIHF085N60EF-GE3,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 13 A, 0.073 ohm, TO-220, Through Hole

SIHF085N60EF-GE3,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 13 A, 0.073 ohm, TO-220, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046403832
Артикул
SIHF085N60EF-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 1 330 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Vishay - это мощный МОП-транзистор серии E с быстродействующим диодом, а транзистор в нем изготовлен из материала, известного как кремний.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220
КорпусTO-220
Mounting TypeThrough Hole
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSilicon
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage600 V
Maximum Continuous Drain Current13 A
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А13
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.073 Ом

Техническая документация