Моя заявка (0)

SIHF068N60EF-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 115A; 39W; TO220FP

SIHF068N60EF-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 115A; 39W; TO220FP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070150618
Артикул
SIHF068N60EF-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Series
SiHF068N60EF
Pin Count
3
Вес, г
2
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 601,23 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой МОП-транзистор серии Vishay EF с быстродействующим диодом выполнен по теxнологии 4-го поколения серии E. Он обеспечивает снижение потерь при переключении и проводимости.

Технические параметры

SeriesSiHF068N60EF
Pin Count3
Вес, г2
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeTO-220FP
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation39Вт
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage600 V
Maximum Gate Threshold Voltage5V
Maximum Drain Source Resistance0.068 Ω
Drain Source On State Resistance0.059Ом
Maximum Continuous Drain Current16 A
Линейка ПродукцииEF
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока16А
Рассеиваемая Мощность39Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220FP
Максимальная Рабочая Температура150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.059Ом

Техническая документация