Моя заявка (0)

SIHF065N60E-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 116A; 39W; TO220FP

SIHF065N60E-GE3, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 116A; 39W; TO220FP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062306776
Артикул
SIHF065N60E-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Series
E
FET Type
N-Channel
Packaging
Bulk
Vgs (Max)
В±30V
Цена по запросу
(от 806,86 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 650V Vds;30V Vgs TO-220

Технические параметры

SeriesE
FET TypeN-Channel
PackagingBulk
Vgs (Max)В±30V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г2
СерияE
FET Feature-
Part StatusActive
ManufacturerVishay Siliconix
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
УпаковкаTube
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250ВµA
ТехнологияSi
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Вид монтажаThrough Hole
Время спада13 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max)39W(Tc)
Supplier Device PackageTO-220 Full Pack
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокTO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs74nC @ 10V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Qg - заряд затвора74 nC
Время нарастания46 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2700pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C40A(Tc)
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности39 W
Id - непрерывный ток утечки40 A
Размер фабричной упаковки50
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток65 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения54 ns
Типичное время задержки при включении28 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.12 S

Техническая документация