SIHD9N60E-GE3, MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046503071
- Артикул
- SIHD9N60E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- E
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Tape & Reel(TR)
- Vgs (Max)
- В±30V
Цена по запросу
(от 290 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 600 В Vds 30 В Vgs DPAK (TO-252)
Технические параметры
| Series | E |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Корпус | TO-252 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 368 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 78W(Tc) |
| Supplier Device Package | D-PAK(TO-252AA) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 778pF @ 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 9A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |