SIHD7N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070230392
- Артикул
- SIHD7N60E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 2
- Серия
- E
- Упаковка
- Tube
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 220,43 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Серия | E |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 14 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 20 nC |
| Время нарастания | 13 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 78 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 7 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 600 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 24 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |