SIHD7N60E-GE3, MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004729460
- Артикул
- SIHD7N60E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1.44
- Серия
- E
- Корпус
- TO-252
- Упаковка
- Tube
Цена по запросу
(от 231,47 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
Технические параметры
| Вес, г | 1.44 |
| Серия | E |
| Корпус | TO-252 |
| Упаковка | Tube |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 14 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 20 nC |
| Время нарастания | 13 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 78 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 7 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 600 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 24 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |