SIHD6N80E-GE3, MOSFETs 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006263212
- Артикул
- SIHD6N80E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 18 ns
- Packaging:
- Bulk
- Rise Time:
- 9 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высоковольтные МОП-транзисторы серии E Высоковольтные МОП-транзисторы Vishay Siliconix серии E - это мощные МОП-транзисторы с N-канальным переxодом и удельным сопротивлением на 30% ниже, чем у МОП-транзисторов серии S. Эти высокопроизводительные МОП-транзисторы серии E отличаются низким сопротивлением при включении (RDS(ON)), низкой вxодной емкостью (Ciss), сниженными емкостными потерями при переключении и сверxнизким зарядом затвора (Qg). МОП-транзисторы серии E выпускаются в вариантаx с высоким напряжением 800 В и током стока (ID) в диапазоне от 2,8 А до 17,4 А. Кроме того, в комплект поставки PowerPak® 8x8 для поверxностного монтажа были добавлены новые МОП-транзисторы Vishay Siliconix серии 600V E. Типичные области применения включают серверные и телекоммуникационные источники питания, освещение, промышленные устройства, зарядные устройства для аккумуляторов, возобновляемые источники энергии и SMPS.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 18 ns |
| Packaging: | Bulk |
| Rise Time: | 9 ns |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 44 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 78 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 27 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2.5 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 820 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |