SIHD2N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025881970
- Артикул
- SIHD2N80E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 2
- Серия
- E
- Структура
- MOSFET
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 135,93 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Серия | E |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 27 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 62.5W |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 19.6nC@10V |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 315pF@100V |
| Continuous Drain Current (Id) | 2.8A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 9.8 nC |
| Время нарастания | 7 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 62.5 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.8 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.38 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 19 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 62.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.75Ω@1A, 10V |