N-Channel MOSFET, 2.9 A, 800 V, 3-Pin DPAK SIHD2N80AE-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014515479
- Артикул
- SIHD2N80AE-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- DPAK, TO252
- Brand
- Vishay
- Mounting
- SMD
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 174,62 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор серии Е.
Технические параметры
| Case | DPAK, TO252 |
| Brand | Vishay |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 10.5nC |
| Manufacturer | VISHAY |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 1.8A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of channel | enhanced |
| Power dissipation | 62.5W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 2.5Ω |
| Drain-source voltage | 800V |
| Pulsed drain current | 3.6A |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 62.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.9 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.9 A |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 62.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 V |