Моя заявка (0)
SIHD240N60E-GE3, MOSFETs 600V Vds; +/-30V Vgs DPAK (TO-252)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048538308
Артикул
SIHD240N60E-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
1
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-252
Power Dissipation
78Вт
Цена по запросу
(от 280 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeN Channel
КорпусTO-252
Power Dissipation78Вт
СтруктураMOSFET
Особенностивысоковольтный
Drain Source On State Resistance0.208Ом
Линейка ПродукцииE
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока12А
Рассеиваемая Мощность78Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.208Ом
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация