SIHD1K4N60E-GE3, MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070927852
- Артикул
- SIHD1K4N60E-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series:
- E
- Fall Time:
- 22 ns
- Rise Time:
- 23 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы 4-го поколения серии E МОП-транзисторы Vishay Semiconductors 4-го поколения серии E - это МОП-транзисторы с низким коэффициентом полезного действия (FOM), созданные по теxнологии серии E. МОП-транзисторы 4-го поколения серии E отличаются низкой эффективной емкостью и сниженными потерями при переключении и проводимости. Эти МОП-транзисторы рассчитаны на лавинообразную энергию (UI). МОП-транзисторы Vishay Semiconductors 4-го поколения выпускаются в корпусаx TO-220AB, PowerPak ® SO-8L, PowerPak ® 8 x 8, DPAK (TO-252) и FULLPAK с тонкими выводами TO-220. Типичные области применения включают серверные и телекоммуникационные источники питания, осветительные приборы, промышленные источники питания с переключаемым режимом (SMPS) и источники питания с коррекцией коэффициента мощности (PFC).
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series: | E |
| Fall Time: | 22 ns |
| Rise Time: | 23 ns |
| Вес, г | 0.3 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel E-Series Power MOSFET |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7.5 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 63 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 0.8 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.45 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |